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Centre de Recherche sur l’Hétéro-Epitaxie et ses Applications, CRHEA, UPR 10 du CNRS

Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques ...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience et métamatériaux) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).