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Centre de Recherches sur l’HétéroEpitaxie et ses Applications (CRHEA) UPR - 10


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Le laboratoire est structuré autour de la croissance de matériaux par épitaxie, qui est le cœur de son activité. Ces matériaux se regroupent aujourd’hui autour de la thématique des semiconducteurs à grande bande interdite : les nitrures de gallium (GaN, InN, AlN et les alliages), l’oxyde de zinc (ZnO) et le carbure de silicium (SiC). Le graphène, matériau de bande interdite nulle, épitaxié sur SiC, vient compléter cette liste. Différentes méthodes de croissance sont utilisées pour synthétiser ces matériaux : l’épitaxie par jets moléculaires (sous ultra vide) et diverses épitaxies en phase vapeur. Autour de ce métier de l’épitaxie se sont organisées des activités d’analyses structurales, optiques et électriques. La plate-forme technologique régionale (CRHEATEC) permet de fabriquer des dispositifs. En terme d’applications, le laboratoire couvre aussi bien le domaine de l’électronique (transistors de puissance de type HEMT, diodes Schottky, diodes tunnels, spintronique...) que celui de l’optoélectronique (diodes électroluminescentes, lasers, détecteurs, matériaux pour optique non linéaire, structures à microcavités pour sources optiques...). Le laboratoire s’est également engagé dans la voie des « nano » avec des aspects fondamentaux (nanoscience) et des aspects plus appliqués (nanotechnologie pour l’électronique ou l’optique).

Domaines scientifiques :

DS 2 : Physique

Directeur :

Philippe BOUCAUD

Localisation :

Rue Bernard Grégory Les Lucioles 1 06560 VALBONNE

Direction et contact

Directeur Philippe BOUCAUD 0493957845 philippe.boucaud@crhea.cnrs.fr Contact Anne-Marie GALIANA amg@crhea.cnrs.fr

Mots clés

Science des matériaux
Croissance cristalline
Science des surfaces
Optoélectronique
Electronique de puissance
Nanoscience
Nanotechnologies

Thèmes de recherche et objectifs

Epitaxie de matériaux semi-conducterus à grande bande interdite et de matériaux 2D
Caractérisation matériaux
Microélectronique : transistors de puissance et télecommunications, diodes Schottky
Optoélectronique : LEDs et lasers de l'UV au THz
Nanosciences : polaritons, matériaux 2D, spintronique
Photonique : nanophotonique, métasurfaces
Technologies quantiques
Nanotechnologies


Equipes de recherche et objectifs

Equipes Electro, Opto et Nano
un Service Commun de Recherche
• Caractérisation structurale par diffraction de rayons X, microscopie (électronique à balayage, en transmission, à force atomique, à effet
tunnel)
• Caractérisation optique (spectroscopie, photoluminescence,cathodoluminescence)
• Salle blanche labellisée centrale régionale de technologie (lithographie optique et électronique, dépôt, gravure)

Transfert de technologies

EasyGaN : spin-off créée en 2017
Partenaires industriels : RIBER, STMicroelectronics, Lumilog-Saint Gobain, Thales, SOITEC, Novasic, Ommic, Sagem, Osram

Réseau et rayonnement international

• Partenaires scientifiques : L2C, CEA-INAC, CEA Leti, C2N, IEMN, Institut Pascal, Inphyni, IPMC, CCMA, GeoAzur, Lagrange
• Pôle optitec (membre de POPSUD)
• Membre des réseaux METPACA et METSA sur la microscopie électronique
• Porteur du LABEX GANEX (réseau national sur GaN)

Chiffres clés

15 chercheurs CNRS
2 enseignant-chercheurs UNS
22 ingénieurs et techniciens
10 doctorants
5 post-docs

Productions scientifiques majeures

50 publications par an en moyenne
17 brevets de 2013 à 2017

Plateformes technologiques, grands équipements

CRHEATEC : plate-forme de technologie
Service Commun de Recherche pour la caractérisation de matériaux

Distinctions scientifiques nationales et internationales

Jean Massies a reçu le " Al Cho Award " lors de la 19ème conférence internationale sur l’Epitaxie par Jets Moléculaires qui s’est tenue à Montpellier en septembre 2016, « pour son travail de pionnier sur l’Epitaxie par Jets Moléculaires de l’arséniure de Gallium, du nitrure de Gallium et des multicouches métalliques, qui a contribué au développement des transistors à haute mobilité électronique et à la découverte de la magnétorésistance géante »

Dernière révision : 2019-01-21T08:08:06+02:00